氮化硼陶瓷

氮化硼具有抗化学侵蚀性质，不被无机酸和水侵蚀。在热浓碱中硼氮键被断开。1200℃以上开始在空气中氧化。熔点为3000℃，稍低于3000℃时开始升华。真空时约2700℃开始分解。微溶于热酸，不溶于冷水，相对密度2.25。压缩强度为170MPa。在氧化气氛下高使用温度为900℃，而在非活性还原气氛下可达2800℃，但在常温下润滑性能较差。碳化硼的大部分性能比碳素材料更优。对于六方氮化硼：摩擦系数很低、高温稳定性很好、耐热震性很好、强度很高、导热系数很高、膨胀系数较低、电阻率很大、耐腐蚀、可透微波或透红外线。
氮化硼陶瓷苯热合成法：
作为近年兴起的一种低温纳米材料合成方法，苯热合成受到广泛关注。苯由于其稳定的共轭结构，是溶剂热合成的优良溶剂，近成功地发展成苯热合成技术，如反应式：
BCl3+Li3N→BN+3LiCl
或BBr3+Li3N→BN+3LiBr
反应温度只有450℃，苯热合成技术可以在相对低的温度和压力下制备出通常在较端条件下才能制得的、在**高压下才能存在的亚稳相。这种方法实现了低温低压制备立方氮化硼。但是这种方法尚处于实验研究阶段，是一种很有应用潜力的合成方法。

氮化硼六方晶系结晶，常见为石墨晶格，也有无定形变体，除了六方晶型以外，碳化硼还有其他晶型，包括：菱方氮化硼(简称：r—BN，或称：三方氮化硼，其结构类似于h—BN，会在h—BN转化为c—BN的过程中产生)、立方氮化硼[简称：c—BN，或|3一BN，或z-BN(即闪锌矿型氮化硼)，质地非常坚硬]、纤锌矿型氮化硼(简称：w—BN，h—BN高压下的一种坚硬状态)。人们甚至还发现像石墨稀一样的二维氮化硼晶体(类似的还有MoS：二维晶体)。

氮化硼陶瓷自蔓延技术
氮化硼陶瓷利用外部提供必要的能量诱发高放热化学反应，体系局部发生反应形成化学反应*(燃烧波)，化学反应在自身放出热量的支持下快速进行，燃烧波蔓延整个体系。这种方法虽然是传统的无机合成方法，但近年才有报道用于氮化硼的合成。

氮化硼陶瓷化学气相合成法：
1979年Sokolowski成功利用脉冲等离子体技术在低温低压下制备成立方氮化硼(CBN)膜。所用设备简单，工艺易于实现，因此得到迅速发展。已出现多种气相沉积方法。传统来讲主要是指热化学气相沉积。实验装置一般由耐热石英管和加热装置组成，基体既可以通过加热炉加热(热壁CVD)，也可以通过高频感应加热(冷壁CVD)。反应气体在高温基体表面发生分解，同时发生化学反应沉积成膜，反应气体有BCl3或B2H4与NH3的混合气体。
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